Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP6N15
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP6N15-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 6.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12850575
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQP6N15 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP6
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RCX080N25
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
246
NUMERO DI PEZZO
RCX080N25-DG
PREZZO UNITARIO
0.43
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
AOTF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
BSS100
MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
