Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP630TSTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP630TSTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12846360
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FQP630TSTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP6
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF630
FABBRICANTE
Harris Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
11535
NUMERO DI PEZZO
IRF630-DG
PREZZO UNITARIO
0.80
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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