Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP3N60C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP3N60C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
9899 Pz Nuovo Originale Disponibile
12837594
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FQP3N60C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
565 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP3
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
FQP3N60CFS
FQP3N60C-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP4NK60Z
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
851
NUMERO DI PEZZO
STP4NK60Z-DG
PREZZO UNITARIO
0.65
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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