FQP2P40-F080

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQP2P40-F080

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQP2P40-F080-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 400 V 2A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

RFQ Online

12847054

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FQP2P40-F080 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

QFET®

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

400 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

350 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

63W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Numero di prodotto di base

FQP2

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

FQP2P40-F080-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

50

Altri nomi

FQP2P40-F080OS

FQP2P40_F080

FQP2P40-F080-DG

FQP2P40_F080-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Not Applicable

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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