FQP2N40-F080
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQP2N40-F080

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQP2N40-F080-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 400 V 1.8A (Tc) 40W (Ta) Through Hole TO-220-3

Inventario:

12848869
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FQP2N40-F080 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
400 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP2

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
FQP2N40_F080
FQP2N40_F080-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDS8874

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FCH47N60N

MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3

onsemi

FQPF4P40

MOSFET P-CH 400V 2.4A TO220F

onsemi

CPH3455-TL-H

MOSFET N-CH 35V 3A 3CPH