Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP19N20C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP19N20C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12850274
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FQP19N20C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP19
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2166-FQP19N20C-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF200B211
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
4746
NUMERO DI PEZZO
IRF200B211-DG
PREZZO UNITARIO
0.51
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP19NF20
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STP19NF20-DG
PREZZO UNITARIO
0.63
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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