FQNL1N50BTA

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQNL1N50BTA

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQNL1N50BTA-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 500 V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

RFQ Online

12851331

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FQNL1N50BTA Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

QFET®

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

500 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

270mA (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9Ohm @ 135mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3.7V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

5.5 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

150 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Numero di prodotto di base

FQNL1

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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