FQNL1N50BBU
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQNL1N50BBU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQNL1N50BBU-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

12851387
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FQNL1N50BBU Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
270mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 135mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Numero di prodotto di base
FQNL1

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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