Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI50N06LTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI50N06LTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12847634
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FQI50N06LTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
52.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 26.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI5
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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