Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI34P10TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI34P10TU-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12838657
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQI34P10TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2910 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI3
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
HUFA75344S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDMS9411-F085
MOSFET N-CH 40V 30A POWER56
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
