FQI27P06TU

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQI27P06TU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQI27P06TU-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 60 V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

RFQ Online

12848395

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

FQI27P06TU Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

QFET®

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1400 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Numero di prodotto di base

FQI2

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

onsemi

FQPF12N60CT

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

onsemi

FDP4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD6N50

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252

onsemi

FQD30N06LTM

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK