Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI27N25TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI27N25TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12850043
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FQI27N25TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI27N25
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
FAIFSCFQI27N25TU
2156-FQI27N25TU-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF640NLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
794
NUMERO DI PEZZO
IRF640NLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.90
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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