Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI13N50CTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI13N50CTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12849505
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FQI13N50CTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
195W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI13N50
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFSL11N50APBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IRFSL11N50APBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.49
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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