FQD3P50TM

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQD3P50TM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQD3P50TM-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

RFQ Online

12839348

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FQD3P50TM Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

QFET®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

500 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

2.1A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9Ohm @ 1.05A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

23 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

660 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numero di prodotto di base

FQD3P50

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

FQD3P50TM-DG

FQD3P50TMCT

FQD3P50TMTR

FQD3P50TMDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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