FQD2N80TM
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQD2N80TM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQD2N80TM-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

12839819
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FQD2N80TM Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FQD2N80

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FQD2N80TMDKR
FQD2N80TMCT
FQD2N80TMTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
STD7NM80
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
4929
NUMERO DI PEZZO
STD7NM80-DG
PREZZO UNITARIO
1.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
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