Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQD1N60TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQD1N60TM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12921590
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FQD1N60TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FQD1
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD1NK60T4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
7455
NUMERO DI PEZZO
STD1NK60T4-DG
PREZZO UNITARIO
0.36
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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