FQB9P25TM
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQB9P25TM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQB9P25TM-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

RFQ Online
12838031
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FQB9P25TM Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB9

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
FQB9P25
Scheda Dati HTML
FQB9P25TM-DG
Schede dati
FQB9P25TM

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IRF9640STRLPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
5539
NUMERO DI PEZZO
IRF9640STRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.92
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRF5210STRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7933
NUMERO DI PEZZO
IRF5210STRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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