FQB8N90CTM

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQB8N90CTM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQB8N90CTM-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

RFQ Online

12838968

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FQB8N90CTM Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

QFET®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

900 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

6.3A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3.15A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

45 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

2080 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

171W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2PAK)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numero di prodotto di base

FQB8N90

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

800

Altri nomi

FQB8N90CTMTR

FQB8N90CTMDKR

FQB8N90CTMCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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