FQB8N90CTM
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQB8N90CTM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQB8N90CTM-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

12838968
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FQB8N90CTM Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2080 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
171W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB8N90

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
FQB8N90CTMTR
FQB8N90CTMDKR
FQB8N90CTMCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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