Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB55N10TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB55N10TM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12836715
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FQB55N10TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB55N10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
2156-FQB55N10TM-OS
FQB55N10TMCT
FQB55N10TMTR
FQB55N10TMDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STB80NF10T4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
775
NUMERO DI PEZZO
STB80NF10T4-DG
PREZZO UNITARIO
1.46
TIPO DI SOSTITUZIONE
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7068
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PREZZO UNITARIO
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PREZZO UNITARIO
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