Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB33N10TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB33N10TM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 3.75W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12849347
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FQB33N10TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB33N10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FQB33N10TMDKR
2156-FQB33N10TM-OS
FQB33N10TMTR
FAIFSCFQB33N10TM
FQB33N10TMCT
FQB33N10TM-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STB30NF10T4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
971
NUMERO DI PEZZO
STB30NF10T4-DG
PREZZO UNITARIO
0.66
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FABBRICANTE
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7068
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PREZZO UNITARIO
0.55
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QUANTITÀ DISPONIBILE
2021
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0.81
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PREZZO UNITARIO
0.74
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QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
PSMN009-100B,118-DG
PREZZO UNITARIO
1.18
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Certificazione DIGI
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