Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB22P10TM-F085
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB22P10TM-F085-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12848513
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FQB22P10TM-F085 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB2
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FQB22P10TM_F085TR
FQB22P10TM_F085DKR
FQB22P10TM_F085DKR-DG
FQB22P10TM_F085CT-DG
FQB22P10TM_F085
FQB22P10TM_F085CT
FQB22P10TM-F085DKR
FQB22P10TM-F085CT
FQB22P10TM-F085TR
FQB22P10TMF085
FQB22P10TM_F085TR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FQB22P10TM
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FQB22P10TM-DG
PREZZO UNITARIO
0.79
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
IRF9540NSTRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
4795
NUMERO DI PEZZO
IRF9540NSTRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.75
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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