Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB19N20TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB19N20TM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
2296 Pz Nuovo Originale Disponibile
12848453
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FQB19N20TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB19N20
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FQB19N20TM-DG
FQB19N20TMCT
FQB19N20TMTR
FQB19N20TMDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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