Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB19N10LTM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB19N10LTM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12836854
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FQB19N10LTM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
870 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB1
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRL530NSTRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
21055
NUMERO DI PEZZO
IRL530NSTRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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