Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB17P06TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB17P06TM-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12840088
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FQB17P06TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB1
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SPB18P06PGATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2030
NUMERO DI PEZZO
SPB18P06PGATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.44
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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