Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQAF8N80
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQAF8N80-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12850481
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQAF8N80 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
107W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PF
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQAF8
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
360
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFPE50PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
353
NUMERO DI PEZZO
IRFPE50PBF-DG
PREZZO UNITARIO
2.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQP8N90C
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
