Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQAF16N50
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQAF16N50-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 11.3A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12849890
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FQAF16N50 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 5.65A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PF
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQAF16
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2166-FQAF16N50-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTPF250N65S3H
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
500
NUMERO DI PEZZO
NTPF250N65S3H-DG
PREZZO UNITARIO
1.65
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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