Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQAF11N90C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQAF11N90C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12837294
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FQAF11N90C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PF
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQAF11
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
FQAF11N90CFS
FQAF11N90C-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STW11NK90Z
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
550
NUMERO DI PEZZO
STW11NK90Z-DG
PREZZO UNITARIO
3.17
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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