Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQAF11N90
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQAF11N90-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 7.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12921426
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FQAF11N90 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
960mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PF
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQAF1
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
360
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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