FQAF10N80
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQAF10N80

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQAF10N80-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventario:

12838310
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FQAF10N80 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 3.35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
113W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PF
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQAF1

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
360

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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