Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA90N10V2
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA90N10V2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 105A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12850229
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FQA90N10V2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 52.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6150 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
330W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA9
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFP4310ZPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1902
NUMERO DI PEZZO
IRFP4310ZPBF-DG
PREZZO UNITARIO
2.10
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
2SK1317-E
FABBRICANTE
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
5608
NUMERO DI PEZZO
2SK1317-E-DG
PREZZO UNITARIO
3.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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