Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA85N06
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA85N06-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12836597
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FQA85N06 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4120 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA8
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFP3306PBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
970
NUMERO DI PEZZO
IRFP3306PBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRFP3206PBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
12712
NUMERO DI PEZZO
IRFP3206PBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.53
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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