Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA55N10
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA55N10-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12847522
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FQA55N10 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA5
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2SK1317-E
FABBRICANTE
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
5608
NUMERO DI PEZZO
2SK1317-E-DG
PREZZO UNITARIO
3.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXTQ75N10P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
3
NUMERO DI PEZZO
IXTQ75N10P-DG
PREZZO UNITARIO
2.44
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
HUF75639G3
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
415
NUMERO DI PEZZO
HUF75639G3-DG
PREZZO UNITARIO
1.49
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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