FQA33N10L
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQA33N10L

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQA33N10L-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

12846826
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FQA33N10L Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
163W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA3

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
450

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
2SK1317-E
FABBRICANTE
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
5608
NUMERO DI PEZZO
2SK1317-E-DG
PREZZO UNITARIO
3.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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