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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA27N25
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA27N25-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
RFQ Online
12837797
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FQA27N25 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
210W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA27
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
FQA27N25
Scheda Dati HTML
FQA27N25-DG
Schede dati
FQA27N25
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDA33N25
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
619
NUMERO DI PEZZO
FDA33N25-DG
PREZZO UNITARIO
1.54
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXTQ36N30P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
346
NUMERO DI PEZZO
IXTQ36N30P-DG
PREZZO UNITARIO
2.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
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