Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA20N40
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA20N40-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 400 V 19.5A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12838762
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQA20N40 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
400 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 9.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA2
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTQ22N50P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
302
NUMERO DI PEZZO
IXTQ22N50P-DG
PREZZO UNITARIO
2.74
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
2SK1317-E
FABBRICANTE
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
5608
NUMERO DI PEZZO
2SK1317-E-DG
PREZZO UNITARIO
3.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FCHD190N65S3R0-F155
MOSFET N-CH 650V 17A TO247
FQP7P06
MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
FDP047AN08A0
MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
