Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA160N08
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA160N08-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12848034
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FQA160N08 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
290 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA160
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
FQA160N08-DG
2156-FQA160N08-488
FQA160N08OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFP2907PBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2867
NUMERO DI PEZZO
IRFP2907PBF-DG
PREZZO UNITARIO
2.55
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXTQ180N10T
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTQ180N10T-DG
PREZZO UNITARIO
2.90
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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