Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA13N50CF
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA13N50CF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 15A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12837831
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FQA13N50CF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
218W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA13
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Altri nomi
488-FQA13N50CF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK39J60W,S1VQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
22
NUMERO DI PEZZO
TK39J60W,S1VQ-DG
PREZZO UNITARIO
5.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
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