Numero di Prodotto del Fabbricante:
FJN3314RTA
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FJN3314RTA-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Inventario:
12850203
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FJN3314RTA Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
300 mW
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Numero di prodotto di base
FJN331
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
FJN3314RTATB
FJN3314RTACT
FJN3314RTA-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MMUN2233LT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
37448
NUMERO DI PEZZO
MMUN2233LT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.01
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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