FDZ299P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDZ299P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDZ299P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (2x2.1)

Inventario:

12846236
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDZ299P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
742 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
9-BGA (2x2.1)
Pacchetto / Custodia
9-WFBGA
Numero di prodotto di base
FDZ29

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDB8441

MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB

onsemi

FDD9407L-F085

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

onsemi

FDS5670

MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AON6916

MOSFET N-CH