Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDU6N50TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDU6N50TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12846967
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FDU6N50TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
940 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FDU6
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
70
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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