Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDU6N25
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDU6N25-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12850989
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FDU6N25 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base
FDU6
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
70
Altri nomi
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-DG
ONSONSFDU6N25
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFU224PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IRFU224PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.53
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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