FDT86113LZ

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDT86113LZ

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDT86113LZ-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventario:

43059 Pz Nuovo Originale Disponibile

12849674

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

FDT86113LZ Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

3.3A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.3A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

6.8 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

315 pF @ 50 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.2W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223-4

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Numero di prodotto di base

FDT86113

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

4,000

Altri nomi

FDT86113LZDKR

FDT86113LZCT

FDT86113LZ-DG

FDT86113LZTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

onsemi

FDP5800

MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3

FDC365P

MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6

onsemi

FDWS5360L-F085

MOSFET N-CH 60V 60A POWER56

AO4306

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC