Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDT4N50NZU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDT4N50NZU-DG
Descrizione:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 2A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventario:
3899 Pz Nuovo Originale Disponibile
12964752
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FDT4N50NZU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFRFET™, Unifet™ II
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
476 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223 (TO-261)
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
488-FDT4N50NZUDKR
488-FDT4N50NZUTR
488-FDT4N50NZUCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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