FDS8935

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDS8935

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDS8935-DG

Descrizione:

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

RFQ Online

12839461

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

FDS8935 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Obsolete

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione da drain a source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

183mOhm @ 2.1A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

879pF @ 40V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Numero di prodotto di base

FDS89

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

FDS8935TR

FDS8935-DG

FDS8935CT

FDS8935DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

onsemi

EFC4618R-P-TR

MOSFET 2N-CH EFCP1818

onsemi

FDS8926A

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

onsemi

NTJD4152PT2G

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88

FW217A-TL-2WX

MOSFET N-CH 35V 8SOIC