Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDS6699S
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDS6699S-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12839007
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FDS6699S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3610 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
FDS6699
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
2832-FDS6699STR
FDS6699STR
FDS6699SDKR
ONSONSFDS6699S
FDS6699SCT
2156-FDS6699S-OS
FDS6699S-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TSM042N03CS RLG
FABBRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
14182
NUMERO DI PEZZO
TSM042N03CS RLG-DG
PREZZO UNITARIO
0.68
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRF8734TRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
162090
NUMERO DI PEZZO
IRF8734TRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
SI4368DY-T1-E3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1330
NUMERO DI PEZZO
SI4368DY-T1-E3-DG
PREZZO UNITARIO
0.98
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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