FDS6162N7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDS6162N7

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDS6162N7-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Inventario:

12849841
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDS6162N7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5521 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SO FLMP
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Numero di prodotto di base
FDS61

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDS6162N7CT
FDS6162N7TR-NDR
FDS6162N7TR
FDS6162N7DKR
FDS6162N7_NLTR
FDS6162N7_NLTR-DG
FDS6162N7_NLCT
FDS6162N7_NL
FDS6162N7_NLCT-DG
FDS6162N7CT-NDR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
alpha-and-omega-semiconductor

AO4403L

MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

alpha-and-omega-semiconductor

AON6260L

MOSFET N-CH 60V 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOB11S60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO263

onsemi

FQP6N40C

MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3