FDS5692Z
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDS5692Z

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDS5692Z-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 50 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

12931714
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDS5692Z Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1025 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
FDS56

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDS5692ZCT
FDS5692ZTR
FDS5692ZDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
fairchild-semiconductor

IRFW520ATM

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF731

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFW644BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

EC4409C-TL-H

NCH 1.8V DRIVE SERIES