Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDS5672_F095
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDS5672_F095-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12837048
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDS5672_F095 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
FDS56
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SQ4470EY-T1_GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
975
NUMERO DI PEZZO
SQ4470EY-T1_GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.55
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FDS5672
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
5013
NUMERO DI PEZZO
FDS5672-DG
PREZZO UNITARIO
0.64
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQA7N90
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
FQD5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
FDZ661PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
