Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDS3680
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDS3680-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 5.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12837209
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDS3680 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1735 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
FDS36
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SI4100DY-T1-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
7295
NUMERO DI PEZZO
SI4100DY-T1-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.43
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
FDMS7578
MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
