Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDS3601
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDS3601-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12846539
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FDS3601 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
153pF @ 50V
Potenza - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
FDS36
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF7103TRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
9567
NUMERO DI PEZZO
IRF7103TRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FDC3601N
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FDC3601N-DG
PREZZO UNITARIO
0.17
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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